Аннотация:
В статье приведены результаты математического моделирования протекания электрического тока в пластинчатом поликристалле графита в магнитном поле. В отличие от простой модели с учетом только контактного сопротивления между чешуйками, в настоящей модели также учтено омическое сопротивление вдоль и поперек
слоёв графита на основе цепочечной модели протекания электрического тока в поликристалле графита. В результате получена формула с уточненными поправочными коэффициентами, которая позволяет подобрать параметры поликристалла
для расчета температурной зависимости УЭС и магнетосопротивления. Проведено
сравнение с простой моделью, учитывающей только контактное сопротивление, различие составляет до 50 % от прежней оценки. Отличие отнесено к особенностям
подключения отдельных кристаллов в поликристалле. Это позволяет анализировать размеры кристаллов и их подключения в искусственном графите исходя из
электрофизических свойств.