Studies on Sn doped cadmium sulfide thin films as highly selective green light photosensors

Тонкие пленки сульфида кадмия (CdS), легированного оловом (Sn), были выращены методом химического осаждения. Было замечено, что все тонкие пленки (легированные и нелегированные) были поликристаллическими с наноразмерными кристаллитами и кубической кристаллической структурой CdS. Согласно данным СЭМ CdS и CdS, легированный Sn представляют собой наностержни. Анализ ЭДС показывает дефицит серы и избыток кадмия в пленках. Спектроскопия UV-VIS подтверждает увеличение ширины запрещенной зоны при легировании пленок. Микроструктурный анализ показывает, что размер частиц увеличивается с увеличением концентрации Sn. Гравиметрический анализ показывает, что толщина тонкой пленки чистого CdS составляет 134 нм и увеличивается с увеличением концентрации легирующего олова. Измерения электропроводности показывают, что материал меняет свой отрицательный температурный коэффициент на положительный температурный коэффициент при повышении температуры. Измерения ТЭП показывают полупроводниковую природу пленок $n$-типа, которая обладает высокой светочувствительностью. Было обнаружено, что тонкая пленка чистого CdS менее чувствительна к зеленому свету, однако тонкие пленки CdS, легированные оловом (3 мас.%), демонстрируют повышенный фотоотклик, особенно на зеленый свет.