Влияние электрического поля на структуру сегнетоэлектрических шевронных смектиков $C^*$

Проведено теоретическое описание ориентации директора и слоевой структуры шевронного сегнетоэлектрического смектика $C^*$ в ограниченной ячейке во внешнем электрическом поле. В подобных системах, обладающих ориентационной бистабильностью, были рассчитаны пространственные распределения директора. В слабых электрических полях описан переход между двумя равновесными конфигурациями при изменении величины и направления внешнего поля, который имеет характер гистерезиса. Оценена величина порогового поля, приводящего к переориентации директора. Расчеты показали, что изменение слоевой структуры происходит лишь в сильных полях, когда нельзя пренебрегать квадратичным по полю вкладом в свободную энергию. В этом случае была рассчитана пространственная и ориентационная структура шевронного смектика $C^*$ при различных соотношениях между главными значениями тензора диэлектрической проницаемости. Показано, что в некоторых случаях увеличение внешнего поля должно приводить к переходу к структуре “книжной полки”.