RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Известия Национального Университета Архитектуры и Строительства Армении // Архив

Известия Национального Университета Архитектуры и Строительства Армении, 2016, выпуск 1, страницы 22–25 (Mi nuaca73)

Химия

$X$– ray interferometric study of residual microtensions in $\mathrm{Si}$ monocrystalls

[Исследование остаточных микронапряжений в монокристаллах $\mathrm{Si}$ с рентгеноинтерферометрическим методом]

T. S. Mnatsakanyan, T. H. Eyramjyan

Yerevan State University

Аннотация: Экспериментально обнаружены остаточные микронапряжения в монокристалле кремния с помощью рентгеноинтерферометрического метода маятниковых полос. Из рентгенограмм, полученных после лазерного облучения, оценены относительные деформации кристаллической решетки.

Ключевые слова: лазерное облучение, радиационные остаточные микронапряжения, маятниковые полосы.

УДК: 548.733

Поступила в редакцию: 11.02.2016
Принята в печать: 14.03.2016

Язык публикации: армянский



© МИАН, 2024