Влияние антирелаксационного покрытия на поглощение в $D_{2}$-линиях щелочных металлов

Исследованы особенности поглощения в ячейке с антирелаксационным покрытием, вызванные оптической накачкой и конечной скоростью сканирования частоты лазера. В ячейках такого типа внутреннее состояние атома с большой вероятностью сохраняется при столкновении со стенкой, что приводит к оптической накачке ансамбля атомов по всем скоростям и всему объему ячейки. В $D_{2}$-линии $^{133}\mathrm{Cs}$ и частота, соответствующая максимуму поглощения, и величина максимального поглощения зависят от знака сканирования частоты лазера. Приведена теоретическая модель, объясняющая зависимость асимметрии контура поглощения в $D_{2}$-линии $^{133}\mathrm{Cs}$ от мощности наличием в системе уровней циклического перехода.