Особенности в кинетике затухания желтой люминисценции в кристаллах LiF–UO$_2$

Обнаружена быстрая компонента, порядка 387 ns (300 K), в кинетике затухания желтой люминесценции (563 nm) кристалла LiF–UO$_2$. Методом азимутальной зависимости поляризации люминесценции показано, что излучательные центры представляют собой анизотропные образования, ориентированные в кристаллической решетке вдоль осей симметрии второго порядка (С$_2$). Предложена модель излучательного центра и определено положение возбужденного уровня кислородного дефекта, с которого осуществляется переход электрона в зону проводимости. В результате переноса электрона от иона кислорода на возбужденный уровень U$^{6+}$ наблюдается люминесценция с 387 ns иона U$^{5+}$. Последующая локализация дырки на U$^{5+}$ в основном состоянии сопровождается восстановлением иона U$^{6+}$, люминесценцию которого мы наблюдаем в зеленой области спектра (523 nm) с $\tau\approx$ 100 $\mu$s.