Оптические свойства халькогенидных стекол системы Ga–Ge–Sb–Se, легированных ионами тербия и диспрозия, вблизи края полосы фундаментального поглощения

Измерен оптический отклик халькогенидных стекол состава Ga$_5$Ge$_{20}$Sb$_{10}$Se$_{65}$, легированных ионами редкоземельных элементов Tb$^{3+}$ или Dy$^{3+}$, в области длин волн 0.7–1.5 $\mu$m методом инфракрасной (ИК) спектроскопии. Рассчитаны параметры, характеризующие край полосы фундаментального поглощения стекол: оптическая ширина запрещенной зоны, параметры области Урбаха и области слабого поглощения. Установлено, что легирование в малых концентрациях (до 0.3 wt%) не влияет на оптические свойства стекол в области Урбаха и ширину запрещенной зоны, но в области слабого поглощения оптический отклик стекол зависит от концентрации активатора. Кристаллизация стекол, полученных методом прямого плавления, также зависит от концентрации активатора. В стеклах, легированных ионами Dy$^{3+}$, полосы поглощения иона находятся в области слабого поглощения стекла, что делает возможным передачу энергии между ионами и связанными состояниями носителей заряда в запрещенной зоне.