Селективная лазерная спектроскопия примесных центров ионов Ho$^{3+}$ в кристалле SrY$_2$O$_4$

Методом селективной лазерной спектроскопии проведены детальные исследования спектров люминесценции и возбуждения люминесценции примесных центров ионов Ho$^{3+}$ в кристалле SrY$_2$O$_4$. На основе полученных данных построена структура энергетических уровней мультиплетов $^5I_8$, $^5I_7$, $^5I_6$, $^5S_2$ и $^5F_4$ двух структурно неэквивалентных примесных центров ионов Ho$^{3+}$ в позициях Y1 и Y2 кристаллической решетки. Наблюдаемые спектры хорошо описываются в рамках теории кристаллического поля (КП), определены параметры кристаллических полей симметрии $C_s$ в позициях Y1 и Y2. На основе полученных параметров кристаллического поля рассчитаны параметры спектров ЭПР, которые полностью согласуются с экспериментальными значениями.