Закономерности температурных изменений спектров отражения инфракрасного излучения кристалла Bi$_{0.8}$Sb$_{1.2}$Te$_{3}$ в области возбуждения плазменных колебаний свободных носителей заряда и межзонных переходов

Закономерности температурного поведения спектров отражения кристалла Bi$_{0.8}$Sb$_{1.2}$Te$_{3}$, полученных в диапазоне проявления плазменного резонанса свободных носителей заряда и края фундаментального поглощения, позволяют проследить за изменением энергии плазмона $E_{p}$ и оптической ширины запрещенной зоны $E_{g\operatorname{opt}}$. Наблюдаемое уменьшение $E_{g\operatorname{opt}}$ с ростом температуры соответствует существующим представлениям о перераспределении дырок между неэквивалентными экстремумами валентной зоны в кристаллах (Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$)Te$_{3}$ (0 $<x<$ 1). Доминирование этого процесса в определенной области температур вносит вклад в изменение плазменных частот.