Определение концентрации электронов проводимости в монокриcталлических образцах $n$-GaSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области при $T$ = 295 K

Предложен метод раздельного определения концентраций “легких” и “тяжелых” электронов в $n$-GaSb при $T$ = 295 K на основе анализа спектров отражения в дальней инфракрасной области с учетом плазмон-фононного взаимодействия. Построены расчетные градуировочные зависимости, позволяющие определять концентрации “легких” и “тяжелых” электронов по значению характеристического волнового числа, отвечающего частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды. Проведены измерения спектров отражения серии образцов $n$-GaSb с различной проводимостью при комнатной температуре и определены концентрации “легких” и “тяжелых” электронов. На тех же образцах выполнены электрофизические измерения по методу Ван дер Пау при комнатной температуре. Путем сопоставления оптических и холловских данных определены значения отношения подвижностей “легких” и “тяжелых” электронов (параметр $b$). Такой способ определения значения параметра $b$ использован впервые.