Датчик малых перемещений на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом

Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла (ФК) с дефектом на основе слоев Si–SiO$_2$ в ближнем ИК диапазоне. Оптическая толщина слоев, образующих ФК, составляла $\lambda$/4, 3$\lambda$/4 и 10$\lambda$/4. Дефект был образован воздушным зазором в середине ФК. Изучено влияние толщины дефекта на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что чувствительность к толщине дефекта $d$ лежит в пределах $\Delta\lambda/\Delta d$ = 330–1200 nm/$\mu$m и 0.6–0.85 dB/nm, в зависимости от геометрии датчика и метода измерений. Это делает 1D ФК с дефектом перспективными для использования в датчиках малых перемещений в качестве чувствительного элемента.