Селективное усиление дефектных мод мультидефектного фотонного кристалла

Исследованы спектральные характеристики одномерных фотонно-кристаллических структур, образованных последовательной комбинацией брэгговских отражателей и слоев диэлектрика. Обнаружено формирование в области фотонной запрещенной зоны одной или нескольких гребенок спектральных линий дефектных мод. Особенности распределения оптического излучения по дефектной фотонной структуре позволяют реализовать селективное усиление дефектных мод.