Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb

Экспериментально исследовано тепловое сопротивление светодиодов среднего инфракрасного диапазона спектра на основе гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAsSb “флип-чип”-конструкции. Показано, что для светодиодов на основе узкозонных полупроводников измерение теплового сопротивления с использованием температурно-чувствительного параметра прямого напряжения на $p$–$n$-переходе необходимо проводить при пониженных температурах для обеспечения постоянства температурного коэффициента напряжения.