Двухволновой метод лазерно-стимулированного окисления слоя пористого кремния

Описан новый метод фотонно-стимулированной обработки поверхности полупроводника: метод двухволнового лазерно-стимулированного окисления слоя пористого кремния. Исследованы оптические свойства слоя лазерно-окисленного нанопористого кремния в спектральной полосе 2–17 $\mu$m. Исследуемый слой нанопористого кремния сформирован электролитическим травлением поверхности монокристаллического кремния КДБ-10, ориентации (100) по стандартной методике. Плотность анодного травления составила 25.0 mA/сm$^2$. Лазерно-стимулированное окисление слоя нанопористого кремния проводилось воздействием на поверхность излучения двух лазеров с разными длинами волн: вспомогательного излучения – с помощью трех различных лазерных диодов с длинами волн 980, 520 и 405 nm и основного излучения – с помощью DPSS-лазера YAG:Nd, работавшего в импульсном режиме, с длиной волны 1.064 $\mu$m.