Влияние ультрафиолетового света на люминесценцию (700–1000 nm) кристаллов LiF и LiF : ОН, облученных в ядерном реакторе

Исследованы спектры испускания (700–1000 nm) и поглощения (200–800 nm) кристаллов LiF и LiF : ОН, облученных в реакторе и подвергнутых воздействию ультрафиолетового света, в том числе и совмещенного с механической нагрузкой. Цель работы – изучение характера поведения лазерных центров окраски в указанных системах. В диапазоне 710–825 nm наблюдаются диаметрально противоположные результаты: высокая устойчивость F$_4$-подобных центров в “чистом” LiF и резкое их разрушение в кристаллах LiF : ОН. В то же время в обеих группах разрушаются центры F$_3$ и F$_4$ и интенсивно накапливаются лазерные центры F$_2^+$ и F$_3^-$ (825–925 nm). При последующей выдержке в условиях комнатной температуры и темноты наблюдается самопроизвольный распад лазерных центров, сопровождаемый ростом концентрации F$_4$-подобных центров и восстановлением микроструктуры облученных кристаллов.