Оптические свойства сегнетоэлектрических пленок Hf$_x$Zr$_y$O$_2$ и La : Hf$_x$Zr$_y$O$_2$ по данным эллипсометрии

В последнее время обнаружено наличие сегнетоэлектрических свойств наноразмерных пленок на основе оксида гафния. Такие пленки представляют большой интерес для разработки универсальной памяти, которая сочетает преимущества оперативной и флэш-памяти. В работе изучаются оптические свойства пленок оксида гафния-циркония Hf$_x$Zr$_y$O$_2$ и пленок оксида гафния-циркония, легированных лантаном, La : Hf$_x$Zr$_y$O$_2$. Флуктуации толщины пленок Hf$_x$Zr$_y$O$_2$ не превышают 3.5%, флуктуации толщины пленок La : Hf$_x$Zr$_y$O$_2$ – 3.2%. Оптические свойства анализируются на основе теории эффективной среды. По данным теории эффективной среды пленки Hf$_x$Zr$_y$O$_2$ содержат 46% HfO$_2$, 54% ZrO$_2$, пленки La : Hf$_x$Zr$_y$O$_2$ содержат 47.5% HfO$_2$, 52.4% ZrO$_2$, 2.5% La$_2$O$_3$.