Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий

Для интерпретации процесса зарядки монокристаллического сапфира и влияния на этот процесс радиационно-стимулированных дефектов проведены фотолюминесцентные исследования исходного монокристаллического сапфира, а также сапфира, предварительно облученного ионами и электронами низких энергий. Спектры фотолюминесценции получены с использованием конфокального микроскопа с длиной волны возбуждения 445 nm и неконфокальным методом на длине волны 355 nm. Полученные результаты для всех образцов показали линии, связанные с собственными дефектами, а также c примесными дефектами. Предварительное ионное облучение приводит к разупорядочению приповерхностной области образца, что проявляется в значительном увеличении интенсивности фотолюминесценции. Предварительное электронное облучение может приводить к изменению зарядового состояния изначально существующих в кристалле дефектов.