Влияние допирования ионами Ce$^{3+}$ на центры окраски в кристалле KY$_3$F$_{10}$, индуцированные рентгеновским излучением

Представлены результаты исследований оптических свойств центров окраски, образующихся при рентгеновском облучении, в номинально чистом кристалле KY$_3$F$_{10}$ и допированном ионами Ce$^{3+}$, определены типы и постоянные времени их эволюции. Рассмотрено влияние на эволюцию центров окраски допирования кристалла ионами Ce$^{3+}$. Проведено сравнение параметров центров окраски в допированном кристалле и номинально чистом. Индуцированные рентгеновским излучением центры окраски определены в номинально чистом кристалле как центры окраски F- и F$_2$-типов, а в допированном – F-, F$_2$- и F$_A$-типов. В кристалле KY$_3$F$_{10}$, допированном ионами Ce$^{3+}$, времена рекомбинации свободных носителей заряда, обусловленных центрами окраски F-типа, существенно отличаются от времен рекомбинации зарядов, обусловленных этими типами центров окраски в номинально чистом кристалле. В допированном кристалле (в сравнении с номинально чистым) максимумы полос поглощения смещаются в коротковолновую область.