RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Оптика и спектроскопия // Архив

Оптика и спектроскопия, 2025, том 133, выпуск 9, страницы 957–962 (Mi os1976)

Оптические материалы

Разработка технологии создания фотонных интегральных схем с кольцевыми микрорезонаторами на основе структур Si/SiO$_2$/Si$_3$N$_4$

А. И. Абанинabc, Р. М. Рязановa, А. Д. Голиковde, В. В. Ковалюкdf, И. О. Венедиктовfd, П. П. Анed, Д. А. Шимловскаяg, Е. П. Кицюкa, С. С. Косолобовg, П. И. Лазаренкоc, Г. Н. Гольцманfh, В. В. Светухинa

a Научно-производственный комплекс "Технологический центр", Москва, Россия
b Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия
d Университет науки и технологий МИСИС, Москва, Россия
e Московский педагогический государственный университет, Москва, Россия
f Высшая школа экономики, Москва, Россия
g Сколковский Институт науки и технологий, Москва, Россия
h Российский квантовый центр, Москва, Россия

Аннотация: Развитие современных систем обработки информации ограничивается быстродействием электронных схем. Реализация высокоскоростной обработки информации следующего поколения становится крайне сложной задачей при использовании традиционной электронной компонентной базы. Одним из вариантов решения данной проблемы является переход к созданию систем на основе фотонных интегральных схем. В работе представлены результаты изготовления высокодобротных кольцевых микрорезонаторов из нитрида кремния. Для изготовления оптических устройств использовались структуры Si/SiO$_2$/Si$_3$N$_4$, сформированные с применением производственного оборудования НПК “Технологический центр”. Исследованы зависимости оптических параметров структур от технологических режимов формирования нитрида кремния и применения дополнительного высокотемпературного отжига. Продемонстрированы образцы кольцевых резонаторов с добротностью $>$ 10$^5$ при радиусе кольца $\approx$64 $\mu$m.

Ключевые слова: нитрид кремния, кольцевой микрорезонатор, LPCVD, добротность.

Поступила в редакцию: 06.06.2025
Исправленный вариант: 09.09.2025
Принята в печать: 10.09.2025

DOI: 10.61011/OS.2025.09.61763.8228-25



© МИАН, 2025