Генерация и детектирование импульсного терагерцового излучения с использованием фотопроводящих полупроводниковых антенн на основе LT-In$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN

Исследованы генерация и детектирование терагерцового (ТГц) излучения с использованием фотопроводящих антенн на основе низкотемпературных гетероструктур LT-In$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN. Многослойные структуры, выращенные методом металлоорганического химического осаждения из газовой фазы, продемонстрировали эффективность преобразования фемтосекундного лазерного излучения в ТГц импульсы 8 $\cdot$ 10$^{-5}$. При мощности оптической накачки 57 mW и напряжении смещения 15 V достигнута средняя выходная мощность ТГц излучения 4.5 $\mu$W. Частотный спектр излучения сосредоточен в области 1.0–1.2 THz с полосой пропускания до 3 THz. Исследованы временные и спектральные характеристики сигнала, а также зависимости мощности ТГц излучения от параметров накачки и смещения. Полученные результаты подтверждают перспективность использования LT-In$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN для создания источников и детекторов ТГц диапазона, что открывает новые возможности для приложений в ТГц спектроскопии и оптоэлектронике.