Управляемое подавление дефектной моды фотонного кристалла с графеновыми частицами

Исследованы спектры пропускания в терагерцевом диапазоне частот одномерной фотонно-кристаллической структуры, в дефектном слое которой размещены упорядоченные слои графеновых частиц. Графеновые частицы и соединяющие их графеновые провода образуют двумерные массивы, химический потенциал которых может варьироваться величиной приложенного электрического потенциала. Показана возможность управления коэффициентом пропускания в мини-зоне, связанной с дефектной модой фотонного кристалла, в диапазоне значений 0.05–0.7.