А. В. Алафердов, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, С. А. Мошкалев, “Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур”, Оптика и спектроскопия, 2020, том 128, выпуск 3,страницы 399

Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов

Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур

А. В. Алафердов^abc, О. В. Вихрова^a, Ю. А. Данилов^a, Б. Н. Звонков^a, С. А. Мошкалев^bd

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Center for Semiconducting Components and Nanotechnologies, Brazil
^c The "Gleb Wataghin" Institute of Physics, University of Campinas, Brazil
^d Universidade Estadual de Campinas, Brazil

Аннотация: Экспериментально обнаружено существенное (почти на два порядка величины) увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции диодной структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs, слоем GaMnAs в качестве спинового инжектора и контактным покрытием из пленки многослойного графена. Результат объясняется возможным образованием гибридной системы многослойного графена и полупроводника GaAs под воздействием излучения He–Ne-лазера, приводящим к изменению зонной диаграммы гетероструктуры.

Ключевые слова: светоизлучающая структура, GaAs, квантовая яма, многослойный графен, люминесценция, лазерное воздействие.

Поступила в редакцию: 06.11.2019
Исправленный вариант: 06.11.2019
Принята в печать: 26.11.2019

DOI: 10.21883/OS.2020.03.49067.300-19