Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой

Представлены результаты экспериментов по созданию и изучению свойств инжекционных квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m в геометрии волновода с тонкой верхней обкладкой на основе фосфида индия. Гетероструктура сформирована методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP с активной областью на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/Al$_{0.48}$In$_{0.52}$As. Достигнута лазерная генерация на длине волны излучения 7.8 $\mu$m при температуре 300 K с пороговой плотностью тока $\sim$6 kA/cm$^{2}$. Значения характеристических температур $T_{0}$ и $T_{1}$ для исследованных квантово-каскадных лазеров составляют порядка 150 и 450 K соответственно. Полученные результаты подтверждают перспективность конструкции волновода с тонкой верхней обкладкой для устройств детектирования жидкостей, создания устройств микрофлюидики, а также фотонных схем на кремнии.