Динамика решетки и электронные свойства нелинейного кристалла BaGa$_{2}$GeS$_{6}$: комбинационное рассеяние, ИК отражение и расчет ab initio

Получены поляризованные спектры комбинационного рассеяния света и ИК отражения кристалла BaGa$_{2}$GeS$_{6}$ с разупорядочением атомов Ga и Ge, занимающих одну и ту же кристаллографическую позицию. Спектры ИК отражения обрабатывались методом дисперсионного анализа. Вычислены дисперсия фононов, плотность фононных состояний, электронная зонная структура и парциальные плотности электронных состояний в приближении DFT, используя метод алхимического потенциала для разупорядоченных атомов Ga и Ge. Найдено, что в колебательных спектрах валентные колебания отделены от деформационных мод щелью около 100 cm$^{-1}$, а в зонной структуре кристалла имеется непрямая энергетическая щель.