Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид

Представлены результаты отработки технологических режимов формирования и исследования оптических свойств светодиодных микропирамид на основе InGaN/GaN. Структуры сформированы методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Светодиодные гетероструктуры на основе одиночных микропирамид демонстрируют электролюминесценцию на длине волны 520–590 nm, которая сдвигается в коротковолновую область с увеличением токовой накачки. Данные источники излучения представляют интерес для формирования точечных источников света высокой интенсивности для биосенсорных применений.