Аннотация:
Выполнен расчет термоупругих полей, формируемых в кристаллах алмаза при воздействии лазерного излучения вдоль осей симметрии второго ($L_2$), третьего ($L_3$) и четвертого ($L_4$) порядка. Полученные результаты могут быть использованы для оптимизации процесса лазерной обработки кристаллов алмаза.
Ключевые слова:лазерная обработка, алмаз, графит, метод конечных элементов.