В. В. Хорошко, И. Н. Цырельчук, В. Ф. Гременок, А. Н. Петлицкий, “Солнечные элементы с $\mathrm{Cu_xIn_xZn_{2-2x}Se_2}$ поглощающим слоем”, ПФМТ, 2015, выпуск 4(25),страницы 41

Эта публикация цитируется в 1 статье

ФИЗИКА

Солнечные элементы с $\mathrm{Cu_xIn_xZn_{2-2x}Se_2}$ поглощающим слоем

В. В. Хорошко^a, И. Н. Цырельчук^a, В. Ф. Гременок^b, А. Н. Петлицкий^c

^a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
^b Научно-практичеcкий центр НАН Беларуси по материаловедению, Минск
^c ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск

Аннотация: Сформированы тонкопленочные солнечные элементы c поглощающим слоем $\mathrm{Cu_xIn_xZn_{2-2x}Se_2}$ (CIZS) на стеклянных подложках. Данный полупроводниковый материал удовлетворяет как физическим требованиям к материалам фотоэлектрических преобразователей, так и требованиям снижения стоимости производства солнечных элементов. Предварительные результаты исследований показали, что стекло$/\mathrm{Mo/Cu_xIn_xZn_{2-2x}Se_2/CdS/ZnO/Al}$-$\mathrm{Ni}$ тонкопленочные солнечные элементы могут обладать эффективностью более 10%.

Ключевые слова: $\mathrm{Cu_xIn_xZn_{2-2x}Se_2}$, тонкие пленки, солнечные элементы, физические характеристики, эффективность.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 09.09.2015