Аннотация:
Выполнено моделирование процесса обработки кристаллов алмазов под действием лазерного излучения инфракрасного, зеленого и ультрафиолетового диапазона. Проведен анализ температурных полей и полей термоупругих напряжений, формируемых в кристаллах алмаза в результате лазерного воздействия для трех различных вариантов: анализ воздействия лазерного излучения вдоль осей симметрии второго ($L_2$), третьего ($L_3$) и четвертого порядка ($L_4$).
Ключевые слова:лазерная обработка, алмаз, метод конечных элементов.