Обработка синтетических алмазных структур лазерным излучением с длиной волны 532 нм

Выполнено численное моделирование процесса обработки кристаллов алмаза при воздействии лазерного излучения с длиной волны 532 нм. Расчет формы лунки и температурных полей, формируемых в кристаллах алмаза в результате лазерного нагрева, осуществлен с использованием трёх вариантов моделирования: I — трехмерный анализ при воздействии лазерного излучения вдоль оси симметрии второго порядка ($L_2$), II — трехмерный анализ при воздействии лазерного излучения вдоль оси симметрии третьего порядка ($L_3$), III — трехмерный анализ при воздействии лазерного излучения вдоль оси симметрии четвертого порядка ($L_4$). Проведена экспериментальная проверка полученных результатов.