RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Проблемы физики, математики и техники // Архив

ПФМТ, 2020, выпуск 1(42), страницы 39–44 (Mi pfmt693)

Эта публикация цитируется в 1 статье

ФИЗИКА

Тонкопленочный солнечный элемент с использованием термоэлектрического слоя

А. К. Есман, Г. Л. Зыков, В. А. Потачиц

Белорусский национальный технический университет, Минск

Аннотация: Рассмотрено одно из экономически оправданных решений тонкопленочного солнечного элемента на основе фотоэлектрического преобразователя CuInSe$_2$-CdS и термоэлектрического слоя CuInSe$_2$. Данная структура солнечного элемента была реализована в программном пакете COMSOL Multiphysics. При моделировании учитывались условия, близкие к эксплуатационным. Численными методами получено распределение температуры и градиентов температуры солнечного элемента. Использование термоэлектрического слоя, концентрации солнечного излучения, а также поддержания рабочей температуры фотоэлектрического преобразователя за счет термостабилизации тыльной стороны подложки позволили достичь увеличения выходной мощности солнечного элемента до 5%.

Ключевые слова: термоэлектрический слой, фотоэлектрический преобразователь, концентрированное солнечное излучение, COMSOL Multiphysics, градиент температуры.

УДК: 621.383.51

Поступила в редакцию: 11.12.2019



© МИАН, 2024