Электрические свойства тонких пленок SiO$_2$:Cu$^\circ$, нанесенных методом импульсного лазерного испарения

В статье представлены результаты исследования электрических свойств плёнок SiO$_2$:Cu$^\circ$. Исследована зависимость напряжения от величины солнечного излучения. Установлено, что при росте концентрации ионов меди в тонких плёнках SiO$_2$:Cu$^\circ$, электропроводимость снижается за счет роста расстояния между наночастицами меди, которые находятся в диэлектрической матрице SiO$_2$. Плёнки имеют нелинейную вольт-амперную характеристику, имеющую участки ограничения напряжений на уровне $7\dots10$ В, при этом фотоэлектрические свойства обусловлены генерированием напряжения порядка температурного потенциала с явной зависимостью от солнечного излучения, что позволяет применять эти плёнки как датчики излучения.