Моделирование плазмохимического травления функционального слоя нитрида кремния на подслое диоксида кремния в технологиях микроэлектроники

Проведено математическое моделирование плазмохимического травления (ПХТ) пленки нитрида кремния в плазме газовой смеси, содержащей в качестве фторсодержащего газа гексафторид серы в количестве $70$–$91$ об.$\%$ и кислород в количестве $30$–$9$ об.$\%$, при плотности мощности плазмы $I = 0,2$–$0,4$ Вт/см$^2$ и рабочем давлении $P = 4$–$8$ Па.