Моделирование влияния инфракрасного излучения на фазовый состав покрытий диоксида кремния

Проведено математическое моделирование взаимодействия излучения ближнего инфракрасного (ИК) диапазона с покрытием диоксида кремния при длительности импульса $\tau = 0,05$–$0,5$ секунды и экспозиции $E = 0,1$–$1,0$ Дж/см$^2$. Дана оценка снижения скорости плазмохимического травления (ПХТ) SiO$_2$ покрытия за счёт повышения средней энергии связи в кристаллической решётке вследствие термической модификации фазового состава указанного покрытия.