Аннотация:
Построена феноменологическая модель плазмохимического травления аллюминиевого покрытия, являющегося основой токонесущих микроконстукций в технологиях изделий электронной техники, в газовой среде, содержащей парциальные компоненты BCl$_3$$c_1 = (50$–$65$ об.$\%)$, Cl$_2$$c_2 = (25$–$35$ об.$\%)$ и N$_2$$c_3 = (0$–$30$ об.$\%)$ при давлении
$P = 150$–$250$ мТорр и плотности мощности плазмы $W = 1,6$–$2,2$ Вт/см$^2$.