Влияние магнитного поля на температурно-электрическую неустойчивость в кремнии, легированном марганцем

Исследовано изменение условий возбуждения частоты и амплитуды колебаний тока в Si$\langle$Mn$\rangle$ под влиянием продольного и поперечного магнитных полей. Показано, что независимо от направления магнитного поля пороговое электрическое поле, интенсивность освещения и амплитуда возрастают, частота убывает с увеличением магнитного поля. При заданных электрическом поле и интенсивности освещения наблюдается магнитное гашение ТЭН. Приведенные явления объясняются магнитосопротивлением неоднородных полупроводников.