Краткие сообщения

Исследование полосы поглощения в области 0.52 эВ в твердом растворе $n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$, облученном быстрыми электронами при температуре 77 K

Ш. М. Аббасов, К. Р. Аллахвердиев, Г. Т. Агавердиева, Н. А. Бахышов, А. И. Нагиев