RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 70–76 (Mi phts1023)

Захват носителей тока локальными скоплениями примесей в электрическом поле $p{-}n$-перехода

В. К. Еремин, Н. Б. Строкан, О. П. Чикалова-Лузина


Аннотация: Исследовано поведение локальных примесных скоплений, присущих современным чистым полупроводниковым материалам, во внешнем электрическом поле. Рассмотрено возмущение электрического поля примесным скоплением. Показано, что характерной особенностью возмущения является образование потенциальной ямы — крупномасштабной ловушки для неравновесных носителей. Рассчитано сечение захвата неравновесных носителей ловушкой, описан выброс захваченных носителей.



© МИАН, 2024