RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 435–439 (Mi phts103)

Высокоэффективные информационно-энергетические AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи

В. М. Андреев, Б. В. Егоров, А. М. Койнова, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: \looseness-1 Рассмотрены теоретические оценки предельного КПД и быстродействия в фотовольтаическом режиме, а также экспериментальные данные для фотоприемников (ФП) на основе AlGaAs-гетероструктур, преобразующих излучение с ${\lambda=0.85}$ мкм. ФП со структурой $n^{+}$-GaAs${-}n^{0}$-GaAs${-}n^{0}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As${-}\break p^{+}$-GaAs : Si${-}p^{0}$-Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As при возбуждении импульсами AlGaAs-гетеролазера мощностью 1 мВт имели времена нарастания и спада электрических импульсов — 2 нс в режиме короткого замыкания и 60 нс в точке оптимальной нагрузки. В квазистационарном режиме получен КПД ${\simeq60}$%. Данные ФП могут быть использованы в ВОЛС с передачей по волоконному световоду не только информационных сигналов, но и энергии для питания исполнительных устройств.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 17.07.1985
Принята в печать: 26.07.1985



© МИАН, 2024