М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1,страницы 114

Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии

М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов

Аннотация: Емкостными методами (DLTS и термостимулированной емкостью (ТСЕ)) проведено исследование диодных структур на основе эпитаксиальных пленок $6H$-SiC.