Подвижность неравновесных электронов в кристаллах GaAs $p$-типа

Обращается внимание на новую возможность определения подвижности неравновесных электронов в соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ $p$-типа, основанную на тесной связи процессов рассеяния и спиновой релаксации электронов. На примере кристаллов GaAs $p$-типа из определенных значений времен спиновой релаксации неравновесных электронов расчетным способом были найдены значения дрейфовой подвижности электронов. В работе найдены температурная и концентрационная зависимости подвижности неравновесных электронов, проведено сравнение с соответствующими зависимостями для подвижностей равновесных дырок. Экспериментальные значения находятся в хорошем согласии с теоретическими оценками при учете рассеяния электронов на свободных дырках.