RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1985
, том 19,
выпуск 1,
страницы
136–138
(Mi phts1037)
Краткие сообщения
Непрерывный РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт (
${T=300}$
K,
${\lambda=0.87}$
мкм)
Д. З. Гарбузов
,
И. Н. Арсентьев
, Л. С. Вавилова
,
А. В. Тикунов
, Э. В. Тулашвили
Полный текст:
PDF файл (387 kB)
©
МИАН
, 2024