RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 136–138 (Mi phts1037)

Краткие сообщения

Непрерывный РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт (${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ мкм)

Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили




© МИАН, 2024