Влияние имплантации протонов на люминесцентные свойства халькогенидов кадмия

Изучено влияние облучения протонами энергией 30 МэВ и дозами от $10^{14}$ до $10^{16}$ прот/см$^{2}$ на спектры люминесценции сульфида, селенида и теллурида кадмия в области $0.6{-}2.5$ мкм с целью выяснения влияния собственных дефектов решетки на образование в них центров излучательной рекомбинации (фоточувствительности). Обнаружено сходство в поведении спектра глубоких локальных состояний и параметров соответствующих центров свечения в сульфиде кадмия при его облучении протонами и тепловыми нейтронами. Выявлены сходство и различия в изменениях спектров излучательной рекомбинации изучаемых соединений под действием облучения протонами. На основе полученных результатов обсуждена природа центров свечения в каждом из них.