RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 160–161 (Mi phts1048)

Краткие сообщения

Свойства $p{-}n$-перехода, полученного ионной имплантацией магния в InP

А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, О. В. Огнева, В. Н. Равич, И. Г. Стоянова, И. М. Тигиняну




© МИАН, 2024