Холл-фактор в SnTe

По отношению значений константы Холла в слабом и сильном магнитных полях определен фактор Холла в образцах SnTe с концентрацией носителей заряда ${(0.75\div2.5)\cdot10^{20}\,\text{см}^{-3}}$ (${r=0.9{-}1.0}$). Сопоставление полученного значения $r$ с зависимостью концентрации носителей заряда от содержания Те в системе Sn$-$Те позволяет заключить, что каждая вакансия поставляет четыре дырки в валентную зону. На основе этого высказаны предположения относительно влияния вакансий на энергетический спектр SnTe.