RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1985
, том 19,
выпуск 1,
страницы
164–167
(Mi phts1050)
Краткие сообщения
Двумерный электронный газ в модулированно-легированных структурах GaAs/GaAlAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
М. Г. Блюмина
, А. Т. Денисов
, А. М. Крещук
,
Т. А. Полянская
, И. Г. Савельев
, И. И. Сайдашев
, А. П. Сеничкин
,
Ю. В. Шмарцев
Полный текст:
PDF файл (506 kB)
©
МИАН
, 2024