RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 164–167 (Mi phts1050)

Краткие сообщения

Двумерный электронный газ в модулированно-легированных структурах GaAs/GaAlAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

М. Г. Блюмина, А. Т. Денисов, А. М. Крещук, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, А. П. Сеничкин, Ю. В. Шмарцев




© МИАН, 2024