RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 167–169 (Mi phts1051)

Краткие сообщения

Исследование эффективности инжекции $p{-}n$-переходов на основе слабо легированного GaAs

Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков




© МИАН, 2024