RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1985
, том 19,
выпуск 1,
страницы
167–169
(Mi phts1051)
Краткие сообщения
Исследование эффективности инжекции
$p{-}n$
-переходов на основе слабо легированного GaAs
Б. И. Григорьев
,
В. Г. Данильченко
,
В. И. Корольков
Полный текст:
PDF файл (465 kB)
©
МИАН
, 2024