Физика и техника полупроводников,
1985, том 19, выпуск 2,страницы 193–212(Mi phts1057)
Широкозонные полупроводники
A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические
и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)
Аннотация:
Систематизированы результаты работ по изучению
в соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$
межзонных переходои переходов, обусловленных глубокими центрами.
Описаны первые данные по обнаружению и исследованию экситонных линий
в оптических спектрах тиогаллата и селеногаллата кадмия. Выяснено, что одной
из основных причин отсутствия экситонов в других соединениях
A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ является наличие
в образцах большого количества антистрктурных дефектов на основе
взаимозамещения катионов (А$_{\text{B}}$ и В$_{\text{A}}$).
В результате рассмотрения влияния отклонения от стехиометрического состава на
свойства образцов установлена собственно-дефектная природа глубоких
центров в соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$.
Обсуждена возможность целенаправленного управления свойствами
соединений применением технологии ионного внедрения и отжига. Раскрываются
причины, затрудняющие управление величиной и типом проводимости материалов.
Анализируется вопрос о практическом применении
кристаллов A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$.