О локализации и термической устойчивости дефектов, обусловленных лазерным облучением германия

Изучены локализация и термическая стойкость центров рекомбинации и захвата носителей заряда, возникающих в приповерхностном слое германия при облучении высокоомных монокристаллов импульсами неодимового лазера наносекундной длительности. Установлено, что дефекты образуются в поверхностном слое толщиной 20$-$60 нм при глубине поглощения излучения лазера 1000 нм, что указывает на нетермический, допороговый механизм дефектообразования. Основная часть таких дефектов отжигается при 670 K. Полученные данные свидетельствуют о том, что за поверхностную рекомбинацию и захват носителей заряда в облученных кристаллах ответственны разные системы центров.