Флуктуационная модель перехода бесщелевой полупроводник–полупроводник при всестороннем сжатии

Рассмотрена модель твердого раствора узкощелевого полупроводника, не содержащего электрически активных примесей, в которой свободные электроны и локализованные дырки возникают за счет случайного потенциала. Предполагается, что потенциал обусловлен флуктуациями состава твердого раствора. Показано, что в рамках этой модели удается качественно описать наблюдавшуюся экспериментально зависимость подвижности и концентрации электронов от давления.