Комбинационное рассеяние света в кристаллах арсенида галлия, подвергнутых воздействию субнаносекундных лазерных импульсов

В кристаллах GaAs ориентации (100) и (111) после облучения второй гармоникой (${\lambda=532}$ нм) лазера YAG : Nd$^{3+}$ с длительностью импульса ${\sim0.6}$ нс проведено исследование отражения и спектров комбинационного рассеяния света (КРС) в пределах облученной области с высоким пространственным разрешением. Измерения осуществлялись в брюстеровской геометрии при сканировании сфокусированным пучком возбуждающего лазера (Аr$^{+}$, Не$-$Cd, Не$-$Ne) вдоль диаметра облученного пятна.
Идентифицированы зоны лазерно-аморфизованного и перекристаллизованного материала. По ослаблению интенсивности фононных линий в спектре КРС из-за поглощения возбуждающего и рассеянного света в аморфном слое определена его толщина, которая составляет ${\sim100}$ Å и менее. Установлено, что в случае ориентации мишени (100) перекристаллизованный материал является хорошим монокристаллом, а при ориентации мишени (111) он характеризуется высокой степенью неупорядоченности кристаллической структуры, что объясняется меньшей скоростью кристаллизации в этом случае. На основании расчетов отражения в пятне облучения высказана гипотеза о существовании тонкого аморфного слоя под слоем перекристаллизованного материала.